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密度与 10nm SRAM 相当：CEA-Leti 开发 22nm FeRAM 关键电容技术
法国CEA-Leti在22nm节点实现FeRAM密度比标准SRAM高2.5倍，追上10nm SRAM水平，铁电电容技术取得关键突破。
IT之家 6 月 21 日消息，法国原子能委员会电子与信息技术实验室 (CEA-Leti) 当地时间本月 15 日宣布，该机构在 IEEE VLSI 2026 研讨会上展示了一项 FeRAM （IT之家注：铁电随机存取存储器） 电容器关键技术。 该技术 可让 FeRAM 在 22nm 节点实现 2.…