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🤖 AI·大模型 IT 之家 2026-05-25

东芝出样 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET，主要面向下一代 AI 数据中心电源系统

IT之家 5 月 25 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布 开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的测试样品 ，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），同时也适用于可再生能源相关设备。 TW00…

东芝出样 沟槽栅碳化硅 主要面向下一 数据中心电源 系统

📅 日期

2026-05-20 2026-05-19