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消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发
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IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒当地时间今日报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片 450 层 3D NAND， 构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型 ，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 ▲ 三星电子 V9 QLC 将两片 450 层 NAN…