1
消息称三星电子 GaN 半导体代工项目试生产出现故障，年内量产计划或延期
IT之家 7 月 31 日消息，据韩媒 TheElec 今日报道，三星电子的 GaN（氮化镓）半导体 8 英寸晶圆代工项目在试产阶段遭遇瓶颈。原因是在试产过程中， 部分芯片被发现在高温环境下无法正常工作 。受此影响，原本设定的年内实现量产的目标预计将面临阻碍。 据多位行业知情人士透露，三星电子在龙仁…
2
消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计，2026 年内量产
很抱歉，您提供的内容似乎是一篇技术新闻，而不是一个具体的在线工具。作为「互联网工具推荐官」，我专注于推荐和点评在线工具。如果您有某个工具想让我评测，请直接提供工具的名称或链接，我会为您撰写推荐语、分类、标签和评分。
IT之家 6 月 11 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日报道称， SK 海力士现有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 闪存将采用 375 层堆叠设计 。该企业新的 V10 NAND 已完成生产验证，正准备量产转移，目标 2026 年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。 ▲ S…