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消息称三星电子、SK 海力士持续投资扩充在中 NAND 产能
IT之家 8 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 在其当地时间 24 的报道中表示，该国两大半导体企业 三星电子、SK 海力士正持续向中国 NAND 晶圆厂投资 ，以扩充闪存产能，缩小供需差距。 ▲ 三星电子 V9 1Tb TLC 报道指出，三星电子自 2026H1 以来一直在推进西安 …
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消息称三星电子 2026~2027 年 DRAM 投片量增长有限，SK 海力士有望缩小差距
IT之家 8 月 24 日消息，韩媒《ChosunBiz》当地时间今日援引 Omdia 报告表示，三星电子今明两年按晶圆投片规模计算的 DRAM 内存产能仅有小幅增长，SK 海力士有望缩小双方之间的产能差距。 据悉，三星电子 2025~2027 年的 DRAM 产能分别为 769.5 万片晶圆、81…
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2 层 → 3 层：消息称三星电子计划扩大平泽在建晶圆厂项目
IT之家 8 月 20 日消息，韩媒《东亚日报》当地时间昨日报道称，三星电子已向有关部门正式提交规划修正案， 计划将其平泽园区的两座新晶圆厂项目从此前的 2 层 4 洁净室扩大至 3 层 6 洁净室 。 三星电子平泽新晶圆厂通常被称为 P5 一号与二号，有时也会被称为 P5 与 P6。与此前的平泽 …
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有望创韩企纪录：消息称三星电子本月底审议超 100 万亿韩元股东回报计划
IT之家 8 月 20 日消息，韩媒 MoneyToday 今日报道称，三星电子将于本月底召开董事会， 就一项总额超过 100 万亿韩元 （IT之家注：现汇率约合 4,789 亿元人民币） 的股东回报计划进行审议 。该计划规模有望创下韩国企业中的历史新高。 据悉三星电子计划将 50% 的自由现金流用…
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消息称三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发
IT之家 8 月 19 日消息，韩媒 the bell 在其当地时间 8 月 13 日发布的文章中表示，根据业内人士的透露， 三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发 ，2026 年 12 月进入量产转移阶段，2027H1 启动生产线建设， 有望 2027 年底实现…
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消息称三星电子 GaN 半导体代工项目试生产出现故障，年内量产计划或延期
IT之家 7 月 31 日消息，据韩媒 TheElec 今日报道，三星电子的 GaN（氮化镓）半导体 8 英寸晶圆代工项目在试产阶段遭遇瓶颈。原因是在试产过程中， 部分芯片被发现在高温环境下无法正常工作 。受此影响，原本设定的年内实现量产的目标预计将面临阻碍。 据多位行业知情人士透露，三星电子在龙仁…
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消息称三星电机与 Solbrain 扩大合作范围，开发新一代玻璃基板材料
IT之家 7 月 28 日消息，据韩媒 The Elec 今天报道，三星电机与 Soulbrain 扩大合作范围，探索下一代玻璃基板材料。 据报道，三星电机与 Soulbrain 的合作始于 2025 年，目前已在探索蚀刻液、铜电镀液、化学机械抛光浆料（CMP）等领域。 IT之家注：上述三种材料均是…
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消息称三星电子整并通用 DRAM 后端制造设施：缩短制造周期，提升实际产能
三星电子整并DRAM后端制造设施，缩短周期提升产能，目标2026年Q3均价涨20%
IT之家 7 月 27 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间今日报道称，三星电子存储器业务正整合其以华城为中心的通用 DRAM 内存后端制造设施，以缩短制造周期，提升实际产能。 三星电子的平泽半导体园区内同时设有 DRAM 前端和后端生产设施，这意味着前端工艺完成后的晶圆可快速进入后端制造流程。然而…
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打造量产线：消息称三星电子拟集中采购 50 台 Besi 混合键合设备
IT之家 7 月 23 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间 21 日报道称，三星电子计划从荷兰半导体设备制造商 Besi 处集中采购 50 台 D2W（芯粒对晶圆）混合键合机台，以在其平泽 P5 晶圆厂建成一条量产级生产线。 ▲ Besi 的 Datacon 8800 CHAMEO ultra…
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订单太多忙不过来，消息称三星电子拟将谷歌 TPU I/O 芯片后端设计工作外包
IT之家 7 月 15 日消息，据 The Elec 报道，由于晶圆代工需求持续攀升，三星电子内部工程资源日趋紧张，目前正考虑将谷歌 2 纳米张量处理器（TPU）的输入输出（I/O）裸片后端设计工作外包给外部合作方，以此缓解产能与人力压力。 多位行业业内消息人士透露，三星近期已接洽旗下设计解决方案合…
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消息称三星电子计划将龙仁首座芯片工厂的投产时间提前至 2029 年
三星加速AI半导体布局，龙仁首座芯片厂提前至2029年投产，瞄准全球AI市场。
IT之家 7 月 12 日消息，据韩联社报道，业内人士周日透露，三星电子正推进其龙仁芯片集群内首座半导体晶圆厂的建设，计划将投产时间提前至 2029 年，比原计划提前一到两年。 这一时间表提前，正值韩国政府加快推进龙仁国家产业园区建设之际。该园区被定位为韩国国家级战略项目，也将成为三星下一代半导体制…
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现有产品销售火爆：消息称三星电子推迟 CXL 3.1 内存模组商业化
三星因现有CXL 2.0订单火爆及HBM重心，推迟下一代CXL 3.1内存模组商业化，AI市场降温成隐忧。
IT之家 7 月 7 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日援引业内人士报道称，三星电子已放缓基于 CXL 3.1 的 CMM-D 内存模组商业化进度， 现在的进度指向 2026Q4 出样 、 2027Q1 量产 。 这一策略调整受到多重因素的影响：一方面，尽管通用 DRAM 产品近期展现了良…
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消息称三星电子目标 2026Q3 通用 DRAM 均价环比上涨 20%
IT之家 7 月 3 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道，三星电子目前正与下游客户就 2026 年第 3 季度的通用 DRAM 内存价格进行谈判。 该企业的目标是 ASP （IT之家注：平均销售价格） 环比提升 20% 。 报道表示，三星电子的通用 DRAM ASP 在 202…
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消息称三星电机有望斩获 5000 亿韩元 AI 服务器 MLCC 大单，再度加码玻璃基板
AI服务器需求引爆供应链，三星电机拿下5000亿韩元MLCC大单，还联手住友化学押注玻璃基板，行业格局要变。
IT之家 6 月 29 日消息，据韩国经济日报今日报道，三星电机公司正与一家美国大型科技公司洽谈， 敲定价值约 5000 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 22.02 亿元人民币）的 AI 服务器零部件供应协议 ，并计划与日本住友化学公司签署合资协议，生产 AI 芯片的玻璃基板。 报道称，三星电机正在…
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消息称三星电子 Exynos 2700 芯片开发顺利，目标扩展至 S27 Ultra 机型
关注三星芯片动态，Exynos 2700开发顺利，未来将用于S27 Ultra，一文掌握新进展。
IT之家 6 月 24 日消息，韩媒 the bell 近日报道称，三星电子 DX 部系统 LSI 业务的 Exynos 2700 移动处理器开发进展顺利，这款基于 SF2P 工艺的芯片目标 2026Q4 量产。 报道指出， 三星电子 系统 LSI 业务的目标是让“兄弟单位”DX 部 MX 业务将该…
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消息称三星电子暂时停产 8Hi HBM3E 内存：HBM4 与 12Hi HBM3E 平分产能
IT之家 6 月 24 日消息，韩媒《朝鲜日报》当地时间今日报道称，三星电子已暂时停止 8Hi（八层堆叠）HBM3E 内存的生产，产能转向市场需求更为旺盛的 12Hi HBM3E 与 HBM4。 报道指出，三星电子内部为 HBM 规划了每月 15 万片的 HBM 前端 DRAM 晶圆产能，1 2Hi…
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消息称三星电子拟回购价值近 90 万亿韩元股票，用于发放奖金
IT之家 6 月 24 日消息，据韩联社今日消息，三星电子正准备回购价值近 90 万亿韩元 （IT之家注：现汇率约合 3970.8 亿元人民币）的股票，用于向员工发放奖金，并可能很快公布相关细节。 由于劳资双方此前达成协议，决定以股票形式发放特别经营绩效奖金，导致公司目前的库存股数量告急，必须在市场…
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用时不到 5 个月：消息称三星电子 HBM4 内存销售额业界率先突破 10 亿美元大关
IT之家 6 月 23 日消息，韩联社当地时间今日援引韩国芯片行业消息报道称， 三星电子 HBM4 内存销售额已在业界率先突破 10 亿美元 （IT之家注：现汇率约合 67.87 亿元人民币） 大关 。该产品此前于 2026 年 2 月 12 日正式量产。 三星半导体的 HBM4 内存基于 1cnm…
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消息称三星电子1d DRAM有望明年年底初步量产
据ZDNET Korea，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRA…
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消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发
抱歉，看来您发的是一篇科技新闻，而不是一个在线工具。我可是专门推荐好用工具的「牛哥」，不是新闻主播呀～请发一个具体的在线工具名称或链接，比如“图片压缩网站”“AI写作助手”之类的，我马上给您写出推荐语、分类、标签和评分！
IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒当地时间今日报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片 450 层 3D NAND， 构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型 ，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 ▲ 三星电子 V9 QLC 将两片 450 层 NAN…