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消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
IT之家 10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。 报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐…
IT之家 10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。 报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐…