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我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片
我国研制出三维多层片上电容，密度突破1000nF/mm²，可直接内嵌AI/GPU芯片，实现纳秒级瞬态响应，为高端芯片供电瓶颈提供新解法。
IT之家 6 月 12 日消息，据上海证券报今日报道，湖北江城实验室近期 在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米 1000 纳法 。 据介绍， 该电容可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片 ，支撑高算力、低功耗芯片研发。 IT之家从报道…