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冲击 1000 层：三星披露 NAND 规划，SSD 容量目标 4 倍提升
三星公布NAND闪存路线图，冲击1000层堆叠，SSD容量目标提升4倍，存储技术重大突破。
IT之家 6 月 24 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报道称三星披露下一代 NAND Flash（闪存）路线图， 计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。 6 月 14~18 日在美国夏威夷召开的 2026 年 IEEE / JSAP V…
三星公布NAND闪存路线图，冲击1000层堆叠，SSD容量目标提升4倍，存储技术重大突破。
IT之家 6 月 24 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报道称三星披露下一代 NAND Flash（闪存）路线图， 计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。 6 月 14~18 日在美国夏威夷召开的 2026 年 IEEE / JSAP V…