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消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计，2026 年内量产
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IT之家 6 月 11 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日报道称， SK 海力士现有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 闪存将采用 375 层堆叠设计 。该企业新的 V10 NAND 已完成生产验证，正准备量产转移，目标 2026 年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。 ▲ S…