1
我国成功研制出三维多层片上电容,可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片
IT之家 6 月 12 日消息,据上海证券报今日报道,湖北江城实验室近期 在电容关键技术上取得重大突破,成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米 1000 纳法 。 据介绍, 该电容可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片 ,支撑高算力、低功耗芯片研发。 IT之家从报道…
IT之家 6 月 12 日消息,据上海证券报今日报道,湖北江城实验室近期 在电容关键技术上取得重大突破,成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米 1000 纳法 。 据介绍, 该电容可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片 ,支撑高算力、低功耗芯片研发。 IT之家从报道…