1
消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
IT之家 10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。 报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐…
2
消息称三星电子计划斥资超 100 万亿越南盾在越建设 2 座半导体后端测试工厂
IT之家 10 月 8 日消息，据《首尔经济新闻》韩国当地时间 10 月 5 日报道，三星电子向越南太原省政府递交的文件显示，这家韩国半导体巨头计划在当地建设 2 座半导体后端测试工厂。 这两座工厂位于太原省的安平工业园区， 总投资规模达到 105.7944 万亿越南盾 （IT之家注：现汇率约合 2…
3
超 HBM3E 当前价 3 倍：消息称三星电子为 2027 年 HBM4 内存寻求高额定价
IT之家 10 月 3 日消息，韩媒《每日经济》当地时间昨日报道称，三星电子正与主要客户就 2027 年 HBM4 内存供应合约进行价格谈判， 寻求将每 1Gb 单价定在 4～5 美元区间的中高位。 （至少 4.5 美元 / Gb）。 报道指出，三星电子的 HBM3E 内存当前单价在 1.5 美元 …
4
消息称三星电子已量产 Exynos 2700 处理器，Galaxy S27 系列手机将搭载
IT之家 10 月 2 日消息，博主 @i冰宇宙 今日发文称，三星电子已开始量产 Exynos 2700 处理器，该处理器是 Galaxy S27 系列智能手机的核心部件。据悉，其产量比上一代产品提高了 10%。 IT之家注意到，三星 Exynos 2,700 工程样片 GeekBench 跑分已经…
5
消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设，PH2 或生产 NAND
IT之家 9 月 28 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正加速推进平泽 P5 晶圆厂 PH1 阶段 DRAM 内存生产线的建设。 报道指出，三星电子已在本季度启动 P5 PH1 的洁净室建设，早于此前预期。按此进度推算，半导体制造设备进场时间应该落在 2027 年 …
6
消息称三星电子首代亚 10nm 级 DRAM 内存将采用混合键合结构
IT之家 9 月 23 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子存储器业务近期调整了其先进内存技术的路线图， 首代亚 10nm 级 DRAM 将采用混合键合结构 。 三星电子正平行开发两种首代亚 10nm 级 DRAM 节点，计划在第 7 代 10nm 级的 1d nm 后…
7
消息称三星电子扩大通用存储器模组制造外包规模，自有产能聚焦高阶产品
IT之家 9 月 16 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日报道称， 三星电子正积极扩大通用存储器模组制造业务的外包规模 ，以将更多资源分配至 AI 半导体后端生产。 报道指出， 三星电子目前仍极度缺乏半导体洁净室空间和制造设备 。将位于韩国温阳、天安的现有封装厂用于 DDR5 内存模组、固…
8
消息称三星电机与高通合作开发基于有机桥片的 2.1D 先进封装
IT之家 9 月 14 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间本月 14 日报道称，三星电机 (SEM) 正与高通合作开发面向 AI 半导体芯片的 2.1D 先进封装，双方在该异构集成技术平台上已进行了超一年的研发与认证。 据悉两家企业的 2.1D 封装 采用了嵌入式有机桥片 。其设计思路类似英特…
9
消息称三星电子美国泰勒晶圆厂 2nm 产能已在试产前售罄
IT之家 9 月 8 日消息，韩媒《文化日报》当地时间今日报道称，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的首座晶圆厂 已在启动前售罄其 2nm 产能 ，显示市场对先进制程产能的需求十分旺盛。 报道称 泰勒晶圆厂获得了特斯拉 AI5、博通下一代通信芯片、Arm 端侧 AI 芯片的订单 。该晶圆厂计划 202…
10
消息称三星电子联合 Arm，研发下一代端侧 AI 芯片
IT之家 9 月 4 日消息，据韩媒 Greened.kr 消息，三星电子联合 Arm，正式启动端侧 AI 芯片的联合研发。 据半导体行业今日消息，Arm 已于 8 月底批准拨付了用于开发下一代端侧 AI SoC 芯片的一次性工程费用，并与三星电子正式启动该项目。 据悉，该项目采用 由 Arm 提供…
11
消息称三星电子计划在韩国等地投放 Exynos 2700 版 Galaxy S27 Ultra 智能手机
IT之家 9 月 2 日消息，韩媒 MONEYTODAY 当地时间 1 日报道称， 三星电子计划在韩国等市场投放搭载 Exynos 2700 移动处理器的 Galaxy S27 Ultra 智能手机 。 如果消息成真，这将是 Exynos 处理器自 2022 年后时隔 5 年再次被用于 Galaxy…
12
消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM：17~18Gbps 高速设计
IT之家 8 月 31 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间 28 日报道称，三星电子正为 NVIDIA（英伟达）开发一款定制的 HBM 内存产品。 其采用 8 层低堆叠设计 ， 同时支持 17~18Gbps 的高引脚速率 。 IT之家注： 原文同时称其为 HBM4E 和 NVHBM。但从 NVID…
13
消息称三星电子、SK 海力士持续投资扩充在中 NAND 产能
IT之家 8 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 在其当地时间 24 的报道中表示，该国两大半导体企业 三星电子、SK 海力士正持续向中国 NAND 晶圆厂投资 ，以扩充闪存产能，缩小供需差距。 ▲ 三星电子 V9 1Tb TLC 报道指出，三星电子自 2026H1 以来一直在推进西安 …
14
消息称三星电子 2026~2027 年 DRAM 投片量增长有限，SK 海力士有望缩小差距
IT之家 8 月 24 日消息，韩媒《ChosunBiz》当地时间今日援引 Omdia 报告表示，三星电子今明两年按晶圆投片规模计算的 DRAM 内存产能仅有小幅增长，SK 海力士有望缩小双方之间的产能差距。 据悉，三星电子 2025~2027 年的 DRAM 产能分别为 769.5 万片晶圆、81…
15
2 层 → 3 层：消息称三星电子计划扩大平泽在建晶圆厂项目
IT之家 8 月 20 日消息，韩媒《东亚日报》当地时间昨日报道称，三星电子已向有关部门正式提交规划修正案， 计划将其平泽园区的两座新晶圆厂项目从此前的 2 层 4 洁净室扩大至 3 层 6 洁净室 。 三星电子平泽新晶圆厂通常被称为 P5 一号与二号，有时也会被称为 P5 与 P6。与此前的平泽 …
16
有望创韩企纪录：消息称三星电子本月底审议超 100 万亿韩元股东回报计划
IT之家 8 月 20 日消息，韩媒 MoneyToday 今日报道称，三星电子将于本月底召开董事会， 就一项总额超过 100 万亿韩元 （IT之家注：现汇率约合 4,789 亿元人民币） 的股东回报计划进行审议 。该计划规模有望创下韩国企业中的历史新高。 据悉三星电子计划将 50% 的自由现金流用…
17
消息称三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发
IT之家 8 月 19 日消息，韩媒 the bell 在其当地时间 8 月 13 日发布的文章中表示，根据业内人士的透露， 三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发 ，2026 年 12 月进入量产转移阶段，2027H1 启动生产线建设， 有望 2027 年底实现…
18
消息称三星电子 GaN 半导体代工项目试生产出现故障，年内量产计划或延期
IT之家 7 月 31 日消息，据韩媒 TheElec 今日报道，三星电子的 GaN（氮化镓）半导体 8 英寸晶圆代工项目在试产阶段遭遇瓶颈。原因是在试产过程中， 部分芯片被发现在高温环境下无法正常工作 。受此影响，原本设定的年内实现量产的目标预计将面临阻碍。 据多位行业知情人士透露，三星电子在龙仁…
19
消息称三星电机与 Solbrain 扩大合作范围，开发新一代玻璃基板材料
IT之家 7 月 28 日消息，据韩媒 The Elec 今天报道，三星电机与 Soulbrain 扩大合作范围，探索下一代玻璃基板材料。 据报道，三星电机与 Soulbrain 的合作始于 2025 年，目前已在探索蚀刻液、铜电镀液、化学机械抛光浆料（CMP）等领域。 IT之家注：上述三种材料均是…
20
消息称三星电子整并通用 DRAM 后端制造设施：缩短制造周期，提升实际产能
三星电子整并DRAM后端制造设施，缩短周期提升产能，目标2026年Q3均价涨20%
IT之家 7 月 27 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间今日报道称，三星电子存储器业务正整合其以华城为中心的通用 DRAM 内存后端制造设施，以缩短制造周期，提升实际产能。 三星电子的平泽半导体园区内同时设有 DRAM 前端和后端生产设施，这意味着前端工艺完成后的晶圆可快速进入后端制造流程。然而…