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佰维 UV200 车载闪存盘上市：高耐久 TLC，USB-A 接口
IT之家 8 月 21 日消息，佰维 (BIWIN) 今日宣布，其车载 U 盘新品 UV200 现已上市。其基于高耐久 TLC NAND 闪存颗粒，采用 USB 3.2 Gen 2 (10Gbps) Type-A 接口， 支持 24×7 全天候“哨兵模式”录制 。 UV200 提供 128GB 和 …
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闪迪计划 2027 年带来首个 HBF 样品，2028 年实现量产
闪迪HBF高带宽闪存定档2028量产，4块GPU跑大模型，AI存储要变天
IT之家 8 月 14 日消息，闪迪与 SK 海力士本月初官宣首个 HBF（高带宽闪存）标准规范。据 TrendForce 报道，闪迪已在昨日举行的投资者会议上公布了 HBF 的更多信息。 据悉， HBF 有望结合 HBM 级别的读取带宽 ， 并实现 HBM 8-16 倍的容量 ，帮助 AI 领域解…
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铠侠与闪迪发布第九代 2Tb QLC 3D 闪存，接口速度达 4.8Gb/s 提升 33%
铠侠与闪迪发布第九代2Tb QLC 3D闪存，接口速度达4.8Gb/s，较上代提升33%，存储性能再突破。
IT之家 8 月 12 日消息，铠侠与闪迪今日共同宣布，推出第九代高性能 2Tb QLC 3D 闪存。该技术面向 AI 基础设施及数据密集型应用场景，旨在应对 AI 工作负载带来的存储需求增长。 第九代 QLC 技术采用了两家公司的 CMOS 直接键合阵列（CBA）架构，将先进 CMOS 晶圆与成熟…
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消息称 SK 海力士大连 NAND 闪存二厂重启建设，将令当地产能提高五成
IT之家 8 月 11 日消息，韩媒《首尔经济日报》今天（11 日）报道，SK 海力士将重启停工多时的大连 NAND 闪存二厂建设，把当地整体产能提高约 50%。 大连二厂四年前开工后，因 存储芯片市场低迷 而长期搁置。SK 海力士计划在今年年底前导入生产设备，并于明年上半年正式投产。 半导体业界消…
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联发科完成 C-X1 天玑汽车座舱平台对英飞凌车规级 NOR 闪存认证
车规级NOR闪存通过联发科旗舰座舱平台认证，性能与安全双料升级，智能座舱新标杆！
IT之家 8 月 7 日消息，Infineon（英飞凌）当地时间 6 日宣布，联发科技 (MediaTek) 现已完成英飞凌车规级 NOR 闪存存储器解决方案 512Mb Quad SPI NOR Flash 在其天玑汽车座舱平台 C-X1 上的认证。 这款 NOR 模组可存储固件与开机代码，支持多…
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SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术
IT之家 8 月 7 日消息，SK 海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认， 其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计 。这也是 SK 海力士首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品。 SK 海力士宣称 V10 NAND 实现了上代产品 …
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铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s
IT之家 8 月 4 日消息，铠侠株式会社今天宣布与闪迪公司共同推出下一代四层单元（QLC）3D 闪存技术。新产品相比双方第八代技术，实现最高 60% 位密度提升（超 37Gb / mm²）。 据介绍，第十代 QLC NAND 闪存采用了双方自主研发的 CMOS 直接键合阵列（CBA）技术，可在不同…
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铠侠开始送样第 9 代 BiCS FLASH 3D 闪存 1Tb TLC，采用 230 层阵列
IT之家 7 月 30 日消息，KIOXIA（铠侠）当地时间今日宣布，其开始出货采用其第九代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 1Tb 三层单元（TLC）存储器件的样品。 与此前出样的 BiCS9 512Gb TLC 不同，此次样品采用了 230 层存储阵列，这意味着 其在 NAND 堆栈上与…
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TrendForce 预测：DRAM 内存 2027 年供给持续紧缺，NAND 闪存则转趋宽松
IT之家 7 月 30 日消息，TrendForce（集邦）今日发布预测，认为 DRAM 内存市场在明年维持供给紧张格局 ，价格走势偏强；而 NAND 闪存供给将在 2027H2 趋向宽松 ，价格可能面临修正压力。 DRAM 和 NAND 走势分化的一大关键点还是两者按容量计的新产能上线进度不同： …
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铠侠出货 UFS 5.0 嵌入式闪存商业样品，预计 2026 年底量产
IT之家 7 月 29 日消息，KIOXIA（铠侠）当地时间今日宣布已开始出货新一代嵌入式闪存 UFS 5.0 的商业样品，预计 2026 年底量产。铠侠此前在今年 2 月宣布了 UFS 5.0 功能评估与互操作性测试样品的交付 。 JEDEC UFS 5.0 标准在物理层采用 MIPI M-PHY…
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超 60% 的 V-NAND 产能给英伟达，三星加速 V9、V10 闪存布局
IT之家 7 月 22 日消息，韩媒 sedaily 于 7 月 20 日发布博文，报道称在 NAND Flash 闪存供应方面，三星正扩大和英伟达的合作， 向后者供应超过 60% 的 V-NAND（垂直 NAND）产能。 IT之家注：V-NAND 是一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构…
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TrendForce 预测：NAND 闪存紧缺压力有望 2027H2 缓解
IT之家 7 月 21 日消息，TrendForce（集邦）今日表示，尽管明年服务器端需求持续强劲，但在上游原厂供应商增产速度未见放缓、消费电子市场依旧低迷的背景下， NAND 闪存供应紧张的情形有望于 2027H2 获得改善 。 分析指出，在洁净室空间受限、优先考虑增产 DRAM 的背景下，今年的…
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闪迪推出 CZB 系列 USB-C 闪存盘：提供 64-256G 可选、读速达 250MB/s，129.9 元起
IT之家 7 月 20 日消息，闪迪现已在京东上架 CZB 系列 USB-C 闪存盘，提供 64GB-256GB 可选，读取速度达 250MB/s，定价为 129.9 元起，IT之家整理价格如下： 64GB：129.9 元 128GB：199 元 256GB：349 元 京东 闪迪 CZB 系列 U…
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三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，加速V9、V10闪存布局
7月21日消息，三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并推进第十一代500层级V-NAND…
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存储历史性革命！复旦大学发明出“量子闪存”技术，一个电子就是一比特
IT之家 7 月 17 日消息，复旦大学官宣，北京时间今天（7 月 17 日）凌晨，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队在《科学》（Science）发表重磅成果。 他们发明的“量子闪存”（Quantum Flash）技术，成功构建出共面的漏极-沟道-源极…
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铠侠被美国法院裁定侵犯美企计算机闪存技术专利，须赔偿 2.29 亿美元
IT之家 7 月 17 日消息，据路透社报道，美国得克萨斯州西区联邦地区法院于周四（7 月 16 日）作出裁决，日本芯片制造商铠侠（Kioxia）因侵犯了一项计算机闪存技术专利，须向卫星通信公司维亚萨特（Viasat） 赔偿 2.29 亿美元 （IT之家注：现汇率约合 15.53 亿元人民币）。 据…
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威刚预警：2026 年 Q3 内存将涨价 20%-30%，闪存将涨价 35%-40%
内存和闪存市场即将迎来2026年Q3的又一波涨价潮，威刚预警涨幅最高达40%，消费者和行业需提前应对。
IT之家 7 月 7 日消息，威刚科技（ADATA）预警，2026 年第三季度 DRAM 内存与 NAND 闪存价格将再度上调，内存及存储产品售价会进一步走高。 AMD、联想、英特尔等科技企业，以及多家行业研究分析师均发出警示：DRAM、NAND 两大存储品类将继续涨价。当前内存市场供给缺口严重，各…
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涨价恐持续至 2028Q2：瑞银预估 2026Q3 全球内存合约价环比上涨 32%
瑞银最新预测显示，内存涨价潮将持续至2028年，2026年Q3合约价或暴涨32%，投资者速看。
IT之家 7 月 4 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（7 月 3 日）发布博文，报道称瑞银（UBS）预估 DRAM 内存供应紧张导致的涨价将持续到 2028 年第 2 季度，今年依然有较大涨价空间。 瑞银预估 2026 年第 3 季度全球内存合约价环比上涨 32%，较此前预测（17%）上调…
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零刻 EQi 304 迷你主机海外上市：行业首发 Wildcat Lake + UFS 3.1 闪存，双雷电 4 + 双网口
IT之家 7 月 4 日消息，零刻（Beelink）今日面向海外市场推出了其新款迷你主机 ——Beelink EQi 304。这是首款搭载英特尔 Wildcat Lake 处理器的迷你主机产品。 正如其名，它采用了“酷睿 3 304”处理器，拥有 5 核心 5 线程，最大睿频可达 4.3 GHz，自…
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铠侠-闪迪 BiCS10（332 层）3D NAND 闪存进入出样阶段，首款产品为 1Tb TLC
IT之家 7 月 3 日消息，铠侠-闪迪联盟现已宣布，由双方合作开发的第 10 代 BiCS FLASH 3D 闪存现已启动样品交付，首款产品为 1Tb TLC。 BiCS10 采用 332 层堆叠设计，由铠侠日本岩手北上 Fab2 晶圆厂生产，延续了 BiCS8 时代导入的 CMOS 直接键合到阵…