南亚科技:2026 年第二季度毛利率 79.5%,DRAM 内存平均售价环比增长超 60%
南亚科技Q2毛利率飙至79.5%,DRAM均价环比增超60%,营收暴涨68%
IT之家 7 月 11 日消息,南亚科技股份有限公司昨日公布了 2026 年第二季度的自行结算合并财务报告。 IT之家注:南亚科技(Nanya Technology)创立于 1995 年,是全球主要的 DRAM 制造商之一,主业为存储芯片的研发、设计、制造与销售,产品应用于服务器、智能设备及消费类电…
南亚科技Q2毛利率飙至79.5%,DRAM均价环比增超60%,营收暴涨68%
IT之家 7 月 11 日消息,南亚科技股份有限公司昨日公布了 2026 年第二季度的自行结算合并财务报告。 IT之家注:南亚科技(Nanya Technology)创立于 1995 年,是全球主要的 DRAM 制造商之一,主业为存储芯片的研发、设计、制造与销售,产品应用于服务器、智能设备及消费类电…
瑞银最新预测显示,内存涨价潮将持续至2028年,2026年Q3合约价或暴涨32%,投资者速看。
IT之家 7 月 4 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(7 月 3 日)发布博文,报道称瑞银(UBS)预估 DRAM 内存供应紧张导致的涨价将持续到 2028 年第 2 季度,今年依然有较大涨价空间。 瑞银预估 2026 年第 3 季度全球内存合约价环比上涨 32%,较此前预测(17%)上调…
69年内存价格狂降3210亿倍,但AI需求让近期价格逆势大涨,打破历史规律。
斯坦福大学的 DAM(Differentiated Access Memories)研究项目发布了一份《DRAM、HBM 和 NAND 闪存的历史价格和当前价格》报告,提供了相当详细的内存历史价格,并且有原始数据。@Appinn 内存价格下降了 3210 亿倍 这份报告,展示出正常的历史规律,随着科
美光DRAM产能加速,铜锣二厂引入EUV,AI芯片板块市值单日暴涨4000亿美元。
IT之家 6 月 25 日消息,Micron(美光)在企业 FY2026Q3 财报演示文稿中表示,其从力积电手中收购的苗栗铜锣一厂预计将于 2027 年中开始贡献有意义的 DRAM 出货, 相比此前预期提前了 1 个季度 。 而在洁净室约 28000m² 的铜锣一厂旁边,洁净室面积约 25000m²…
SK海力士率先向客户交付12层HBM4E样品,AI超高性能DRAM再升级,下一代算力基础设施关键突破。
IT之家 6 月 18 日消息,SK 海力士今日宣布,公司已向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品,该产品是面向人工智能(AI)的下一代超高性能 DRAM。 SK 海力士表示:“凭借长期以来积累的 HBM 先导开发能力和量产经验,公司成功向客户提供 12 层 HBM4E 样品。我们将与主要客户紧…
Goodram RIVAL推出首款DDR5 SODIMM内存条,超薄石墨烯散热为游戏本散热带来新方案。
IT之家 6 月 17 日消息,波兰存储器模组企业 Goodram 在本月初对其品牌架构进行了调整,将其经典的 IRDM 品牌分拆为面向游戏玩家的 Goodram RIVAL 和面向专业用户的 Goodram PRO,以反映这两个细分市场的分化趋势。 而在当地时间本月 16 日,Goodram 带来…
AI热潮推动内存芯片需求飙升,SK海力士去年新增2000+员工,股价暴涨230%,并加速扩产通用DRAM与3D DRAM竞逐。
IT之家 6 月 14 日消息,据韩国先驱报当地时间 6 月 14 日报道,行业消息人士表示,在全球 AI 热潮的推动下,对内存芯片的需求急剧上升,SK 海力士公司去年因此新增了 2000 多个工作岗位。 在韩国整体就业市场放缓的背景下,这一招聘规模显得尤为引人注目。消息人士透露,截至 2025 年…
128TB DRAM突破AI算力瓶颈,Prometheus服务器挑战“内存墙”极限
Article URL: https://spectrum.ieee.org/huge-memory-ai-server Comments URL: https://news.ycombinator.com/item?id=48395641 Points: 1 # Comments: 0
DRAM内存产业2026Q1营收暴增81%,2026Q2消费型内存预计再涨45-50%!
IT之家 6 月 3 日消息,TrendForce(集邦咨询)本月 1 日指出, D RAM 内存产业的整体营收在 2026Q1 环比实现 81.0% 的巨幅增长 ,总额来到 970 亿美元(IT之家注:现汇率约合 6575.21 亿元人民币)。 随着 AI 应用由 LLM 训练逐步转至 AI 推理…
AI需求吞噬晶圆产能,2026年DRAM市场或暴增303%,预算PC首当其冲。
Article URL: https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260529-13068.html Comments URL: https://news.ycombinator.com/item?id=48335958 Points: 2 # C…
三星12层HBM4E内存样品交付,48GB容量震撼业界,技术突破意味着什么?
IT之家 5 月 29 日消息,三星电子 (Samsung Electronics) 韩国当地时间今日宣布, 已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 (12Hi) HBM4E 样品 。 三星的 HBM4E 可提供稳定的 14Gbps 引脚传输速度 并能扩展至 16Gbps,相较 HBM4 再度提…
全球存储器市场爆发式增长,预估2027年产值超1.28万亿美元,DRAM增幅惊人
IT之家 5 月 29 日消息,TrendForce(集邦咨询)今天发布存储器产业研究报告,预估全球市场 2026 年产值将从前一版的 5516 亿美元(IT之家注:现汇率约合 3.75 万亿元人民币)提升至 8893 亿美元(现汇率约合 6.04 万亿元人民币),2027 年则由 8427 亿美元…
慧荣发布专为AI推理优化的SSD主控SM2524XT,14GB/s无DRAM设计,稳定随机I/O性能。
IT之家 5 月 28 日消息,慧荣 (Silicon Motion) 今日发布面向 AI 推理与 KV 缓存工作负载优化的固态硬盘主控芯片 SM2524XT。 SM2524XT 基于台积电 6nm 制程工艺,拥有 4 个内核,采用 DRAM-less 架构,支持 PCIe Gen5 ×4。慧荣表示…
了解三星越南半导体工厂最新进展,年产1533亿Gb DRAM芯片的新闻链接,可获取行业动态与产能数据
IT之家 5 月 27 日消息,路透社今天(5 月 27 日)披露一份项目文件,显示三星计划越南投资 39 万亿越南盾(IT之家注:现汇率约合 100.23 亿元人民币), 建设其在越南首座芯片测试工厂。 该工厂选址位于河内以北约 60 公里的太原省(Thai Nguyen)工业园,落地后将成为三星…
不走寻常路!在DDR4内存内直接运行AI模型,通过违规时序实现内存计算,FPGA定制控制器加持。
I have been working on running BitNet b1.58 inside DRAM by intentionally breaking DDR4 timing rules. Also made a visual explainer: https://pcdeni.gith…
一篇介绍英特尔9层DRAM堆叠技术的新闻,帮你快速了解AI内存功耗控制前沿进展
IT之家 5 月 22 日消息,集邦咨询今天(5 月 22 日)发布博文,基于泄露的 VLSI 2026 会议摘要, 力积电(PSMC)将联合英特尔、SAIMEMORY(软银旗下)展示 Via-in-One TSV 架构,主打更高带宽和更低数据传输功耗。 报道指出英特尔正携手软银旗下的 SAIMEM…
中国存储芯片巨头携近300亿募资冲刺科创板,一季度净利润暴增超700%,看点十足。
IT之家 5 月 20 日消息,据上交所网站披露,上交所上市审核委员会定于 5 月 27 日召开 2026 年第 27 次上市审核委员会审议会议,届时将审议长鑫科技集团股份有限公司的首发事项。 长鑫科技此前预计:公司 2026 年上半年实现营业收入 1100 亿元至 1200 亿元,同比增长 612…
投机解码将小模型驻留DRAM,突破手机LLM推理的内存瓶颈,实现高效闪存大模型推理
arXiv:2605.16786v1 Announce Type: new Abstract: Large language models (LLMs) are increasingly needed for interactive mobile applications, but high-qua…
福布斯AI榜单揭晓,中关村科金入选唯一企业级AI平台,三星劳资谈判或引发内存涨价
大公司: 新加坡加码人工智能布局,英伟达将落地本地研发中心 全球AI芯片巨头英伟达将在新加坡新设研发中心,这也是新加坡周三集中公布的一系列人工智能相关举措之一。这座全新实验室是英伟达在新加坡设立的首个研发据点,同时也是其在亚太地区布局的第二处同类研发机构。(新浪财经) 2026福布斯中国人工智能科技…
比利时Imec推出专为AI设计的3D CCD内存,融合DRAM速度与NAND密度,有望突破AI推理中的“内存墙”瓶颈。
IT之家 5 月 19 日消息,比利时研究机构 Imec 于 5 月 12 日发布博文,展示了一种 3D CCD 内存架构, 目标结合 DRAM 的高速度与 NAND 闪存的存储密度,提升 AI 推理性能。 针对当前 AI 加速器常见的“内存墙”(算力还在等数据,无法持续处理 Token)瓶颈,Im…