1
群联谈存储短缺：NAND 新增产能最快需 4 年，供应紧张或持续多年
NAND闪存扩产周期长达4年，供应吃紧恐成常态，群联财报透出存储行业未来关键信号。
IT之家 8 月 15 日消息，群联电子 (股) 公司董事长兼总经理潘健成在财报会上表示，NAND 闪存新扩建的产能从投资到真正量产所需时间远比市场预期更长，供需吃紧局面可能延续多年。 他指出，市场普遍认为存储芯片价格上涨后，原厂即可快速增加资本支出扩充产能，但实际情况并非如此。他近期与 NAND …
2
铠侠与闪迪发布第九代 2Tb QLC 3D 闪存，接口速度达 4.8Gb/s 提升 33%
铠侠与闪迪发布第九代2Tb QLC 3D闪存，接口速度达4.8Gb/s，较上代提升33%，存储性能再突破。
IT之家 8 月 12 日消息，铠侠与闪迪今日共同宣布，推出第九代高性能 2Tb QLC 3D 闪存。该技术面向 AI 基础设施及数据密集型应用场景，旨在应对 AI 工作负载带来的存储需求增长。 第九代 QLC 技术采用了两家公司的 CMOS 直接键合阵列（CBA）架构，将先进 CMOS 晶圆与成熟…
3
较 2023 年增 208.89%！美光预估 2026 平均每辆汽车用 278GB DRAM 和 NAND 存储
美光预测2026年每辆汽车平均需要278GB DRAM和NAND，AI与自动驾驶驱动存储需求暴增。
IT之家 7 月 24 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（7 月 23 日）发布博文，报道称在 AI 浪潮带动全球存储芯片短缺背景下， 已经冲击到汽车行业，导致消费级汽车出现不同程度的涨价。 在最新财报电话会议上，通用汽车（GM）首席财务官保罗 · 雅各布森（Paul Jacob…
4
三星量产 PM1763 企业级 SSD：最高 16TB，能效提升 1.8 倍、顺序读取 28400 MB/s
三星最新企业级SSD瞄准AI存储需求，16TB版本读写速度翻倍，能效提升1.8倍。
IT之家 7 月 8 日消息，三星电子（Samsung Electronics）今天发布公告，宣布量产基于 PCIe 6.0 的 PM1763，这是面向下一代人工智能和 HPC 服务器环境优化的企业级固态硬盘 (SSD) 。 定位方面，三星官方表示随着 AI 训练和推理所需数据量持续增长…
5
涨价恐持续至 2028Q2：瑞银预估 2026Q3 全球内存合约价环比上涨 32%
瑞银最新预测显示，内存涨价潮将持续至2028年，2026年Q3合约价或暴涨32%，投资者速看。
IT之家 7 月 4 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（7 月 3 日）发布博文，报道称瑞银（UBS）预估 DRAM 内存供应紧张导致的涨价将持续到 2028 年第 2 季度，今年依然有较大涨价空间。 瑞银预估 2026 年第 3 季度全球内存合约价环比上涨 32%，较此前预测（17%）上调…
6
TrendForce：AI 服务器支撑今年 Q3 存储器价格，消费端价格承受力达极限令涨幅收敛
TrendForce调查显示Q3存储涨价收敛，AI服务器成唯一支撑，消费端需求疲软暴露价格极限。
IT之家 7 月 3 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询今天发布的最新存储器价格调查，2026 年第三季整体 DRAM 格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛， 预计季度环比增长 13-18% 。 NAND Flash 主要需求仍由 AI 推理与大型数据中心建…
7
SK海力士将于2029年在清州建成NAND闪存工厂
SK海力士计划2029年在韩国清州新建NAND闪存工厂，瞄准未来存储芯片市场长期布局。
SK海力士将在忠清南道清州新建一座大型NAND闪存晶圆厂，目标于2029年投入运营。包括该项目在内，SK集团计划在忠清地区总投资170万亿韩元，涵盖先进封装和人工智能数据中心领域，旨在打造全球AI枢纽。（新浪财经）
8
SEMI：2026 年全球 300mm 存储器晶圆厂设备投资首超 500 亿美元
2026年全球300mm存储器设备投资将首破500亿美元，DRAM占七成，行业风向标。
IT之家 6 月 30 日消息，SEMI（国际半导体产业协会）美国当地时间昨日根据其最新报告预测， 全球 300mm 存储器晶圆厂设备投资预计将在 2026 年首次突破 500 亿美元关口 ，达到 520 亿美元（IT之家注：现汇率约合 3538.3 亿元人民币），同比增长 29%。 从领域细分来看…
9
69 年内存价格史（1957–2026）：每 GB 内存价格下降 3210 亿倍
69年内存价格狂降3210亿倍，但AI需求让近期价格逆势大涨，打破历史规律。
斯坦福大学的 DAM（Differentiated Access Memories）研究项目发布了一份《DRAM、HBM 和 NAND 闪存的历史价格和当前价格》报告，提供了相当详细的内存历史价格，并且有原始数据。@Appinn 内存价格下降了 3210 亿倍 这份报告，展示出正常的历史规律，随着科
10
消息称 SK 海力士有望时隔多年重启韩国本土 NAND 闪存晶圆厂建设
SK海力士或重启韩国本土NAND晶圆厂，三星也计划扩产，存储芯片产能大战一触即发。
IT之家 6 月 26 日消息，韩媒《每日经济》当地时间昨日报道称， SK 海力士有望重新启动韩国本土 NAND 闪存晶圆厂的建设 ，具体选址则落在已有布局的清州域内。 SK 海力士自 2018 年清州 M15 晶圆厂竣工后便未在韩国建造 NAND 晶圆厂，接手英特尔 NAND 业务后在中国大连动工…
11
冲击 1000 层：三星披露 NAND 规划，SSD 容量目标 4 倍提升
三星公布NAND闪存路线图，冲击1000层堆叠，SSD容量目标提升4倍，存储技术重大突破。
IT之家 6 月 24 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报道称三星披露下一代 NAND Flash（闪存）路线图， 计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。 6 月 14~18 日在美国夏威夷召开的 2026 年 IEEE / JSAP V…
12
闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈
闪迪新专利把NAND闪存堆叠到计算芯片下方，通过3D架构打破存储瓶颈，利好AI与GPU场景。
IT之家 6 月 22 日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。 IT之家注意到，人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。 过去，芯片厂商只需推出全新存…
13
韩国 5 月 DRAM 出口额同比暴增 369.8%、NAND 增长 206.8%，DDR5 内存单价远超黄金
韩国5月半导体出口额暴增，DRAM增长369.8%，DDR5内存单价已超黄金，高价值存储芯片成出口主力。
IT之家 6 月 13 日消息，据 TrendForce、首尔经济日报报道，韩国半导体出口正呈现罕见的分化走势：以重量计算的出口量持续下滑，而出口额却大幅攀升，反映出 HBM、DDR5 等高价值存储芯片日益成为拉动出口的主力。 韩国国际贸易协会最新数据显示，4 月韩国半导体出口总量为 3242 吨，…
14
CounterPoint 报告 2026Q1 全球 NAND 闪存同比增至 3.5 倍，三星继续领跑
AI基础设施需求推动NAND闪存市场暴涨，eSSD占比超四成，三星稳居龙头
IT之家 6 月 3 日消息，市场调查机构 CounterPoint Research 今天（6 月 3 日）发布博文，报告称在 AI 基础设施需求增长推动下， 2026 年第 1 季度全球 NAND 闪存市场营收达到 460 亿美元，同比增至 3.5 倍，环比增长接近翻倍。 该机构指出全球 NAN…
15
铠侠计划 2026 年夏天出样下代 BiCS10 1Tb TLC NAND 闪存
铠侠下一代332层BiCS10闪存2026年出样，成本能效可靠性全面升级，存储技术再突破。
IT之家 6 月 3 日消息，KIOXIA（铠侠）当地时间昨日举行了 2026 年投资者日活动。 该企业宣布将在今年夏天出样 BiCS10 1Tb TLC NAND ，这一闪存将用于下代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企业级固态硬盘中。 BiCS10 采用 332 层设计，堆叠层数低于部分竞…
16
科学家研发新型太空级 NAND 闪存：可承受 1 亿次 X 光辐射，抗辐射能力超传统产品 30 倍
新型铁电NAND闪存抗辐射能力超传统30倍，为太空设备数据存储带来革命性突破。
IT之家 5 月 22 日消息，随着太空任务日益频繁，所需要的航天器也必须越来越多地依赖自身完成数据处理和存储。为了支撑太空 AI 系统，对应的存储器也需要在极端恶劣的环境中保持稳定。 传统的 NAND 闪存 —— 与智能手机、笔记本电脑和数据中心所用技术相同 —— 是目前太空中大容量数据存储的最先…
17
氪星晚报｜2026福布斯中国人工智能科技企业TOP 50发布，中关村科金入选；三星劳资谈判破裂，威刚董事长称DRAM、NAND恐再掀涨价潮；新交所与中国银行签署新版战略合作备忘录
福布斯AI榜单揭晓，中关村科金入选唯一企业级AI平台，三星劳资谈判或引发内存涨价
大公司： 新加坡加码人工智能布局，英伟达将落地本地研发中心 全球AI芯片巨头英伟达将在新加坡新设研发中心，这也是新加坡周三集中公布的一系列人工智能相关举措之一。这座全新实验室是英伟达在新加坡设立的首个研发据点，同时也是其在亚太地区布局的第二处同类研发机构。（新浪财经） 2026福布斯中国人工智能科技…
18
比利时 Imec 公布 3D CCD 内存架构，结合 DRAM 速度与 NAND 密度提升 AI 推理性能
比利时Imec推出专为AI设计的3D CCD内存，融合DRAM速度与NAND密度，有望突破AI推理中的“内存墙”瓶颈。
IT之家 5 月 19 日消息，比利时研究机构 Imec 于 5 月 12 日发布博文，展示了一种 3D CCD 内存架构， 目标结合 DRAM 的高速度与 NAND 闪存的存储密度，提升 AI 推理性能。 针对当前 AI 加速器常见的“内存墙”（算力还在等数据，无法持续处理 Token）瓶颈，Im…